Descripción general del producto

En la línea de producción de semiconductores, el sistema de recubrimiento y desarrollo es un equipo clave indispensable, esencial desde el prototipo inicial del chip hasta la formación de patrones de circuito. Después de recibir el sustrato, el sistema de recubrimiento y revelado primero activa el sistema de rotación de alta-velocidad. El fotorresistente se esparce uniformemente con la velocidad-giratoria controlada con precisión, e incluso los bordes nivelados-milimétricos se pueden recubrir suavemente-este paso es la mayor prueba de precisión, y una ligera desviación afectará el rendimiento posterior del chip.

El fotorresistente recubierto todavía necesita ser curado. La placa calefactora integrada-del sistema de recubrimiento y revelado se calentará gradualmente para que la capa adhesiva se adhiera firmemente al sustrato. Una vez que la máquina de litografía completa la exposición, inmediatamente se hace cargo del proceso de revelado. Al controlar la temperatura y la intensidad de pulverización del revelador, se elimina el exceso de capa adhesiva no expuesta y, por tanto, se revela el patrón básico del circuito integrado.

En el uso práctico, la precisión del ancho de línea del sistema de recubrimiento y revelado es particularmente confiable y es adecuado para diversos procesos de fabricación de chips. Además, la capacidad de producción, que es la más valorada en la línea de producción, también es excelente. Puede procesar una gran cantidad de sustratos por hora, con un uso bajo de memoria. Puede funcionar de forma continua durante más de diez horas de forma estable y puede mantenerse al día con el ritmo de producción en masa.

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Ventajas

La fabricación de chips de alta-precisión se basa en una técnica de recubrimiento por rotación de precisión, que garantiza una aplicación consistente del fotorresistente y reduce significativamente las dificultades de procesamiento posteriores.

Los problemas complejos como la alineación de tiempos y la transferencia de obleas entre dispositivos se manejan fácilmente mediante métodos especiales de control colaborativo.

Los avances significativos en la precisión del control de la temperatura, la homogeneidad a nivel de nanoescala y el control de defectos han dado como resultado tasas de rendimiento superiores al 90%.

La solución especializada de recubrimiento por rotación es apropiada para todos los tipos de sustrato y se puede aplicar a obleas con diferentes espesores y formas inusuales.

La uniformidad y la eficiencia se equilibran con una velocidad de giro y una presión de recubrimiento optimizadas, lo que reduce en gran medida las pérdidas de rendimiento y facilita la fabricación de chips con formas irregulares.

Parámetros

①DS 100

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Descripción general del dispositivo DS 100
Tamaño del dispositivo (mm)	*282510801600* Interfaz 2C2D+	Tamaño de oblea	Obleas de 2 a 6 pulgadas (50 mm a 100 mm)
WPH	Menos o igual a 160 piezas	MTTR	Menos o igual a 4hrs
Calificación de mérito	Class1@0.1μm Solo área de transferencia de obleas	MTBF	Mayor o igual a 1000hrs
Proceso aplicable	Yo línea, PI, PR	MTBM	>seis meses
Material de contacto de oblea	PEEK/PTFE/CERÁMICA	Tasa de rotura de oblea	Menor o igual a 0,01%
casetes	SMIF; CASSETTE ABIERTO	TIEMPO DE ARRIBA	Mayor o igual al 95%
Área de aplicación	Semiconductor compuesto, circuito integrado, dispositivo de potencia, proyecto de investigación científica, dispositivo óptico, IC, IGBT, MOSFET, MEMS, oblea deformación, oblea cuadrada	Entorno de ejecución de software	Sistema operativo Windows 10 o posterior
Ancho mínimo de línea	350nm	Módulo de placas frías y calientes.	(HP; CPL; ADH; HHP) Menor o igual a 14PCS

②DS 200

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Descripción general del dispositivo DS 200
Tamaño del dispositivo (mm)	*166015102000* (Diseño de torre)	Tamaño de oblea	Obleas de 2 a 6 pulgadas (50 mm a 100 mm)
WPH	Menos o igual a 150 piezas	MTTR	Menos o igual a 4hrs
Calificación de mérito	Class1@0.1μm Solo área de transferencia de obleas	MTBF	Mayor o igual a 1000hrs
Proceso aplicable	Yo línea, PI, PR	MTBM	>seis meses
Material de contacto de oblea	PEEK/PTFE/CERÁMICA	Tasa de rotura de oblea	Menor o igual a 0,01%
casetes	SMIF; CASSETTE ABIERTO	TIEMPO DE ARRIBA	Mayor o igual al 95%
Área de aplicación	Semiconductor compuesto, LED, dispositivo óptico, IC, IGBT, MOSFET, MEMS, oblea de deformación, oblea cuadrada	Entorno de ejecución de software	Sistema operativo Windows 10 o posterior
Ancho mínimo de línea	350nm	Módulo de placas frías y calientes.	(HP; CPL; ADH; HHP) Menor o igual a 14PCS

③DS 300

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Descripción general del dispositivo DS300
Tamaño del dispositivo (mm)	*285013602200* Interfaz 2C2D+	Tamaño de oblea	Obleas de 4 a 8 pulgadas (100 mm- 200 mm)
WPH	Menos o igual a 160 piezas	MTTR	Menos o igual a 4hrs
Calificación de mérito	Class1@0.1μm Solo área de transferencia de obleas	MTBF	Mayor o igual a 1000hrs
Proceso aplicable	Yo línea, PI, PR	MTBM	>seis meses
Material de contacto de oblea	ASML, Nikon, CANON, CECT, SMCC	Tasa de rotura de oblea	Menor o igual a 0,01%
casetes	SMIF; CASSETTE ABIERTO	TIEMPO DE ARRIBA	Mayor o igual al 95%
Área de aplicación	Semiconductor compuesto, circuito integrado, dispositivo de alimentación, chip de memoria, proyecto de investigación científica, dispositivo óptico, IC, IGBT, MOSFET, MEMS, oblea deformación, oblea cuadrada	Entorno de ejecución de software	Sistema operativo Windows 10 o posterior
Ancho mínimo de línea	180nm	Módulo de placas frías y calientes.	(HP; CPL; AD; DHP) Menor o igual a 24PCS

④DS 400

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Descripción general del dispositivo DS 400
Tamaño del dispositivo (mm)	*397516552550* Interfaz 4C4D+	Tamaño de oblea	Obleas de 6 a 8 pulgadas (150 mm- 200 mm)
WPH	Menos o igual a 180 piezas	MTTR	Menos o igual a 4hrs
Calificación de mérito	Class1@0.1μm Solo área de transferencia de obleas	MTBF	Mayor o igual a 1000hrs
Proceso aplicable	Línea I, KrF, ArF, PI, PR, Paquete	MTBM	>seis meses
Material de contacto de oblea	ASML, Nikon, CANON, CECT, SMCC	Tasa de rotura de oblea	Menor o igual a 0,01%
casetes	FOUP; SMIF; CASSETTE ABIERTO	TIEMPO DE ARRIBA	Mayor o igual al 95%
Área de aplicación	Semiconductor compuesto, circuito integrado, dispositivo de alimentación, chip de memoria, proyecto de investigación científica, IC, IGBT, MOSFET, MEMS, oblea deformación, oblea cuadrada	Entorno de ejecución de software	Sistema operativo Windows 10 o posterior
Ancho mínimo de línea	90nm	Módulo de placas frías y calientes.	(LHP; CPL; ADH; HCH; PHP; HCP) Menor o igual a 38PCS

⑤DS 500

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Descripción general del dispositivo DS 500
Tamaño del dispositivo (mm)	*537021002650* Interfaz 4C4D+	Tamaño de oblea	Obleas de 8- 12 pulgadas (200 mm- 300 mm)
WPH	Menos o igual a 200 piezas	MTTR	Menos o igual a 4hrs
Calificación de mérito	Class1@0.1μm Solo área de transferencia de obleas	MTBF	Mayor o igual a 1000hrs
Proceso aplicable	Línea I, KrF, ArF, PI, PR, Paquete	MTBM	>seis meses
Material de contacto de oblea	ASML, Nikon, CANON, CECT, SMCC	Tasa de rotura de oblea	Menor o igual a 0,01%
casetes	FOUP; SMIF	TIEMPO DE ARRIBA	Mayor o igual al 95%
Área de aplicación	Semiconductor compuesto, circuito integrado, dispositivo de alimentación, chip de memoria, proyecto de investigación científica, IC, IGBT, MOSFET, MEMS, oblea deformación, oblea cuadrada, CoWoS	Entorno de ejecución de software	Sistema operativo Windows 10 o posterior
Ancho mínimo de línea	45nm	Módulo de placas frías y calientes.	(LHP; CPL; ADH; HCH; PHP; HCP) Menor o igual a 42PCS