Descripción general del producto
Nuestro equipo de pulverización catódica de película de carbono es un sistema dedicado diseñado para depositar capas protectoras de película de carbono de alta-temperatura en dispositivos de SiC. Utiliza una arquitectura de clúster que se puede configurar con múltiples cámaras de proceso y viene con carga y descarga automática de obleas. Al aplicar la tecnología de película DLC (carbono similar al diamante-), previene eficazmente la formación de tiza en la superficie de las obleas de SiC durante el recocido a alta-temperatura, brindando una protección de superficie estable y confiable.
Ventajas
El diseño del grupo admite múltiples cámaras de proceso, lo que permite un escalado flexible para adaptarse a diferentes tamaños de lotes y aumentar la eficiencia general de la producción.
La carga y descarga automática reduce la intervención manual, mejora la repetibilidad del proceso y admite el procesamiento por lotes continuo.
El proceso de película DLC suprime eficazmente la formación de tiza en la superficie de las obleas de SiC, preservando la calidad de la superficie y mejorando el rendimiento y la confiabilidad del dispositivo.
La cámara de pulverización catódica alcanza un vacío final inferior o igual a 6E-5Pa y la uniformidad del espesor de la película se controla dentro de ±5%, lo que garantiza recubrimientos consistentes y de alta calidad.
La compatibilidad con obleas de 6 y 8 pulgadas hace que el sistema se adapte a diversas líneas de producción y requisitos de proceso.
Aplicaciones
Este equipo se utiliza principalmente en la preparación de capas protectoras de película de carbono para dispositivos de SiC, especialmente durante procesos de recocido a alta-temperatura. Admite obleas de SiC de 6-pulgadas y 8-pulgadas, lo que lo hace adecuado para I+D y producción en masa de dispositivos semiconductores de tercera generación, como dispositivos de potencia de SiC, dispositivos de RF y otros componentes electrónicos basados en SiC.
Preguntas frecuentes
P: 1. ¿Para qué se utiliza el equipo de pulverización catódica con película de carbono?
R: Se utiliza para depositar capas protectoras de película de carbono de alta-temperatura en dispositivos de SiC, especialmente durante el recocido a alta-temperatura para evitar la formación de tiza en la superficie.
P: 2. ¿Cuáles son las principales ventajas de este equipo?
R: Cuenta con un diseño de grupo, carga/descarga automática, tecnología de película DLC, alto rendimiento de vacío y buena uniformidad de espesor.
P: 3. ¿Qué tamaños de oblea admite?
R: Este equipo admite obleas de SiC de 6 y 8 pulgadas para fabricación e investigación y desarrollo de semiconductores.
P: 4. ¿Puede evitar que la superficie de la oblea de SiC se calque con tiza?
R: Sí, su proceso de película DLC suprime eficazmente la formación de tiza durante el recocido a alta-temperatura y protege la calidad de la oblea.
P: 5. ¿Qué tan preciso es el proceso de recubrimiento?
R: La cámara de pulverización alcanza un vacío inferior o igual a 6E-5Pa y la uniformidad del espesor de la película se controla dentro de ±5%.
P: 6. ¿Es adecuado para la producción en masa?
R: Sí, la estructura del clúster y el manejo automático lo hacen ideal tanto para I+D como para la producción de dispositivos SiC a gran-escala.
P: 7. ¿Dónde se aplica comúnmente este equipo?
R: Se utiliza ampliamente en semiconductores de tercera-generación para dispositivos de potencia de SiC, dispositivos de RF y componentes electrónicos relacionados.
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