Según sus diferentes usos, se pueden dividir en aquellos utilizados para la producción de chips, embalaje y fabricación de LED.
Según las diferentes fuentes de luz, se pueden dividir en fuentes de luz ultravioleta (UV), fuentes de luz ultravioleta profunda (DUV) y fuentes de luz ultravioleta extrema (EUV). La longitud de onda de la fuente de luz afecta el proceso de la máquina de litografía.
La máquina de litografía ultravioleta extrema ha adoptado un nuevo enfoque para proporcionar fuentes de luz de longitud de onda más corta. El principal método utilizado actualmente es irradiar un láser excimer sobre un generador de gotas de estaño, excitando fotones de 13,5 nm como fuente de luz para la máquina de litografía. ASML es actualmente el único fabricante del mundo capaz de diseñar y fabricar equipos de litografía EUV.
Según los diferentes métodos operativos, se puede dividir en litografía de contacto, litografía de escritura directa y litografía de proyección.
impresión de contacto
Contacto Imprenta
La placa de máscara está en contacto directo con la capa fotorresistente. La resolución del patrón expuesto es comparable a la del patrón en la placa de la máscara y el equipo es simple. Según el método de aplicación de la fuerza, el contacto se puede dividir en contacto suave, contacto duro y contacto de vacío.
1a. El contacto suave se refiere al proceso de fijar un sustrato a una bandeja (similar al método de colocación del sustrato con un esparcidor de pegamento), con una máscara que cubre el sustrato;
1b. El contacto duro es el proceso de empujar el sustrato hacia arriba bajo presión (nitrógeno) para hacer contacto con la placa de la máscara;
1c. El contacto al vacío es el proceso de extraer aire entre la placa de la máscara y el sustrato para garantizar una mejor adhesión.
Características: tablero de máscara de contaminación fotorresistente; Las placas de mascarilla son propensas a dañarse y tienen una vida útil corta (solo de 5 a 25 usos); Defectos fáciles de acumular.
Litografía de proximidad
Impresión de proximidad
Hay un pequeño espacio (aproximadamente 2,5-25 μ m) entre la placa de máscara y la capa inferior del sustrato fotorresistente. Puede evitar eficazmente daños a la placa de la máscara causados por el contacto directo con el fotorresistente, haciendo que la máscara y el sustrato del fotorresistente sean duraderos para su uso; La máscara tiene una larga vida útil (que puede aumentar más de 10 veces) y menos defectos gráficos. La litografía de proximidad se utiliza ampliamente en los procesos de fotolitografía modernos.
