Descripción general del producto
Nuestra serie ICP Etcher (grabador de plasma acoplado inductivamente) es una-solución de grabado en seco de vanguardia diseñada para una microfabricación de alta-precisión-perfecta para trabajos avanzados de semiconductores y microelectrónica. Se basa en la tecnología de plasma acoplado inductivamente para ofrecer una densidad de plasma sólido, un control de proceso confiable y una amplia adaptabilidad del material. Estas características manejan las duras demandas de la fabricación de dispositivos de próxima-generación, la investigación de materiales y la producción industrial de todos modos. Hemos combinado una innovadora generación de plasma con un ajuste preciso de parámetros y opciones de configuración flexibles, lo que permite a los usuarios realizar un grabado con una alta-relación de aspecto-que produce poco daño y es consistente en todos los ámbitos. Realmente se ha convertido en una-herramienta para impulsar el micro-nanoprocesamiento.
Aplicaciones
1.Fabricación de semiconductores y circuitos integrados: modelado de transistores frontales-, grabado TSV (a través de-Silicon Via) y trabajo de empaquetado avanzado: el tipo de procesos centrales que mantienen la producción de circuitos integrados en marcha.
2. Dispositivos semiconductores compuestos: creación de electrónica de potencia basada en GaN-, optoelectrónica de GaAs/InP (piense en LED, láseres, fotodetectores) y dispositivos de potencia de SiC para aplicaciones de alto-rendimiento.
3. MEMS y microfluidos: grabado de estructura de alta-aspecto-, diseñado para micro-sensores, actuadores y chips de microfluidos de diagnóstico.
4. 2Material D y nanotecnología: grabado y modelado de precisión de materiales 2D (grafeno, MoS₂): muy útil para dispositivos electrónicos de próxima-generación y proyectos de investigación a nano-escala.
Ventajas
- Concepto de diseño de carrocería uni-: huella-excelente (ref 1,0 m* 1,5 m)
- Kits de diseño de procesos según los requisitos: mejor rendimiento del proceso
- Revestimiento de la cámara, control de temperatura del electrodo: Adecuado para diferentes aplicaciones de proceso
- Brecha de descarga de plasma ajustable: ajustada como parámetro de forma dependiente
- Orientación al costo o al rendimiento opcional: RF, bomba, valores, etc. dependiendo de los requisitos
- Especialización en plasma: tecnología de plasma de baja potencia, daño iónico-gratuito
- Manejo de muestra opcional: Abrir-Cargar o Cargar-Bloquear
Parámetros
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Especificación |
Parámetros |
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Rango de tamaño de oblea |
Obleas de 4,6,8,12 pulgadas o múltiples-opcionales |
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Materiales de grabado |
Basado en Si-(Si/SiO2/SiNx/SiC/Cuarzo, etc.), |
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Vacío |
TMP y bomba mecánica |
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Potencia de radiofrecuencia |
Fuente 1000-3000W, polarización 300-1000W, opcional |
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Sistema de gases |
5 líneas (estándar) y refrigeración trasera, o |
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Etapa de oblea |
De-70 grados a 200 grados, opcional |
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No-uniformidad |
Menos del ±5% (exclusión de bordes) |
Preguntas frecuentes
¿Qué ventajas principales ofrece el ICP Etcher en comparación con los equipos de grabado tradicionales?
Cuenta con una alta densidad de plasma (10¹¹–10¹² cm⁻³) para velocidades de grabado más rápidas (hasta 10 000 Å/min) y control de RF dual independiente (fuente + polarización), lo que permite un ajuste preciso de la densidad del plasma y la energía iónica. Esto logra una anisotropía superior, un daño iónico ultra-bajo y una falta de uniformidad en el grabado.<±3%, outperforming traditional etchers in high-precision and complex process scenarios.
¿Con qué tamaños y materiales de oblea es compatible el ICP Etcher?
Admite procesamiento de oblea única-o de múltiples-obleas de 4/6/8/12-pulgadas, con etapas de muestra personalizables para sustratos especiales. Los materiales cubiertos incluyen semiconductores basados en Si (Si/SiO₂/SiNₓ/SiC), semiconductores compuestos (GaN/GaAs/InP/Ga₂O₃), materiales 2D (grafeno/MoS₂/BN), metales (W/Ta/Mo), diamantes y polímeros.
¿Se puede personalizar el equipo para necesidades de proceso específicas?
Sí, ofrece configuraciones flexibles: manejo de muestras de bloqueo abierto-carga/carga-opcional, de 4 a 8 líneas de gas expandibles, rangos de potencia de RF personalizables, -control de temperatura de etapa de oblea de 70 grados a 200 grados y complementos-como OES in-in situ para monitoreo de terminales. Se encuentran disponibles versiones orientadas al costo o al rendimiento para satisfacer los requisitos de investigación o producción en masa.
¿Cuál es el rendimiento de grabado típico (relación de aspecto, selectividad, calidad de las paredes laterales)?
Alcanza relaciones de aspecto de hasta 30:1, selectividad (p. ej., SiO₂/Si) de hasta 150:1 y una inclinación de las paredes laterales mayor o igual a 89 grados, lo que lo hace ideal para el grabado de estructuras con relaciones de aspecto-altas en MEMS, TSV y dispositivos semiconductores avanzados.
¿Qué sistema de vacío utiliza el equipo y qué tan estable es?
Está equipado con una combinación de bomba turbomolecular TMP + bomba mecánica, que alcanza una presión base menor o igual a 5 × 10⁻⁷ Torr y un control preciso de la presión del proceso (1–1000 mTorr a través de MFC), lo que garantiza una estabilidad constante del plasma y una calidad de grabado.
¿El ICP Etcher es adecuado para el procesamiento de materiales sensibles con poco daño-?
Sí, ofrece un modo de plasma de bajo-sesgo opcional que minimiza el daño por bombardeo de iones, lo que lo hace compatible con materiales 2D, dispositivos optoelectrónicos frágiles y semiconductores de alto-rendimiento que requieren preservación de la integridad de la superficie.
¿Para qué escenarios de aplicación está diseñado el equipo?
Se utiliza ampliamente en la fabricación de semiconductores/CI (patrones de transistores, grabado TSV), dispositivos semiconductores compuestos (electrónica de potencia GaN, láseres LED), MEMS/microfluidos, investigación de materiales 2D y procesamiento de dispositivos biomédicos (modificación de la superficie de implantes).
¿Cuáles son los requisitos de espacio y servicios públicos para la instalación?
El diseño integrado compacto ocupa aproximadamente 1,0 mx 1,5 m. Los requisitos de servicios públicos incluyen suministro de energía estándar, agua de refrigeración, aire limpio y seco y sistema de escape.-Las especificaciones detalladas se proporcionan en la guía de pre-instalación para la preparación del sitio.
¿Qué soporte postventa-y formación se ofrecen?
Ofrecemos-instalación in situ, puesta en servicio y capacitación sobre procesos personalizados. Un equipo de soporte técnico global brinda asistencia remota las 24 horas, los 7 días de la semana, con suministro de repuestos y servicios de mantenimiento regulares para minimizar el tiempo de inactividad.
¿Cómo equilibra ICP Etcher el costo y el rendimiento para diferentes usuarios?
Proporciona dos orientaciones de configuración: compilaciones orientadas a los costos-con componentes centrales esenciales para la investigación de laboratorio y opciones orientadas al rendimiento-(RF de alta-potencia, módulos de monitoreo avanzados) para la producción industrial en masa-garantizando una rentabilidad óptima-para las diversas necesidades de los usuarios.
Etiqueta: grabador icp, fabricantes, proveedores de grabador icp de China
