Descripción general del producto
Las series Nice-Tech CV600/CV700 son dispositivos MOCVD de producción en masa-de gama alta-para crecimiento epitaxial de semiconductores compuestos, que adoptan tecnología patentada de rotación dual por satélite-planetario-satélite para lograr un crecimiento de múltiples-obleas con uniformidad de un solo nivel-oblea-. El equipo, que cuenta con una eficiencia líder en la utilización de la fuente de gas a través de un diseño optimizado de inyección y transporte de gas, cuenta con certificación SEMI{10}}S2/SEMI-S6, es fácil de operar y mantener y admite una personalización flexible. CV700 es el modelo mejorado de alta-capacidad, que forma una línea de productos gradual para satisfacer diversas demandas de producción en masa de usuarios industriales e instituciones de investigación globales.
Ventajas
1. Uniformidad de crecimiento superior: La rotación dual del satélite planetario- garantiza una superficie de material plana, picos de difracción nítidos e interfaces de crecimiento pronunciadas con una uniformidad excelente.
2. Alta eficiencia en la utilización del gas fuente: El diseño de gas optimizado aumenta la utilización del gas fuente, ideal para la producción en masa epitaxial sensible a los costos.
3. Alta seguridad y confiabilidad: Certificación SEMI{0}}S2/SEMI-S6, con estructura optimizada para una fácil operación, mantenimiento sencillo y larga vida útil.
4. Amplio rango de crecimiento de material: Cubre el crecimiento epitaxial de los principales materiales semiconductores de segunda y tercera generación-para la fabricación de semiconductores compuestos en múltiples-escenarios.
5. Configuración y personalización flexibles: Amplias opciones de tamaño de sustrato, soporte para actualización personalizada de circuitos de gas, baños termostáticos y otros componentes principales.
6. Control preciso del proceso: Estándar con control de temperatura de placa satelital independiente, monitoreo R/T in-in situ e inyección de gas multi-capa para un crecimiento estable y de alta-precisión.
Aplicaciones
Esta serie permite el crecimiento epitaxial de los principales materiales semiconductores de segunda y tercera-generación (arseniuros, fosfuros, nitruros, SiC, etc.), y los materiales de película delgada preparados se aplican a la fabricación de dispositivos semiconductores, ópticos y de potencia. Sirve a campos terminales centrales que incluyen nueva energía, transmisión de energía, comunicación 5G/aeroespacial, transporte de alta-velocidad y fabricación inteligente, y es el equipo clave para la producción en masa de dispositivos de energía semiconductores de tercera-generación, VCSEL y células solares.
Parámetros
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Categoría |
Especificaciones clave |
CV600 |
CV700 |
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Configuración del sustrato |
Combinaciones de obleas disponibles (especificaciones principales) |
12x4", 6x6", 8x6", 5x8" |
15x4", 8x6", 9x6", 6x8" |
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Circuito de gas estándar (materiales basados en As/P-) |
Líneas de gas fuente MO |
8 líneas (6 estándar + 2 de doble dilución) |
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Líneas de gas hidráulico (dopaje incluido) |
4 líneas (2 estándar + 2 de doble dilución) |
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Circuito de gas estándar (materiales de nitruro) |
Líneas de gas fuente MO |
6 líneas (5 estándar + 1 de doble dilución) |
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Líneas de gas hidráulico (dopaje incluido) |
3 líneas (2 estándar + 1 de doble dilución) |
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Hardware estándar central |
Componentes funcionales centrales |
Guantera limpia y seca sin oxígeno-, control de temperatura del techo, kit de calefacción por RF, control de temperatura de placa satelital independiente, monitoreo R/T in-in situ, mecanismo de inyección de gas multi-capa |
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Configuración opcional clave |
Elementos de actualización principales |
1. Brazo robótico para transferencia de placas satelitales, monitoreo de deformación in situ |
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Rendimiento típico del proceso |
Uniformidad del dopaje |
GaAs:Si Menor o igual a 0,87%; GaAs:C Menor o igual a 4,53% |
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Uniformidad de componentes |
GaInP/AlGaInP MQW estándar Menor o igual a 0,02%; InGaAs/AlGaAs MQW estándar Menor o igual a 0,022% |
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Uniformidad de espesor |
GaInP estándar a granel Menor o igual a 0,6% |
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Rendimiento del material a granel |
Volumen de GaAs: concentración de BG ＜1×10¹⁵cm⁻³, movilidad 7210 cm²/V-s |
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Volumen de InP: concentración de BG tan baja como 1,45×10¹³cm⁻³ |
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Preguntas frecuentes
Preguntas frecuentes
P: ¿Qué tecnología central adopta la serie?
R: Rotación dual de satélite-planetario, con uniformidad de nivel de-oblea-única para crecimiento de múltiples-obleas.
P: ¿Qué materiales puede cultivar?
R: Semiconductores de 2.ª generación (arseniuros/fosfuros) y 3.ª generación (nitruros/SiC).
P: ¿Cuál es la diferencia entre CV600 y CV700?
R: CV700 es un modelo de alta-capacidad con mayor capacidad de carga de sustrato; Las especificaciones principales son consistentes.
P: ¿Está certificado la seguridad del equipo?
R: Sí, cuenta con certificaciones internacionales SEMI{0}}S2/SEMI-S6.
P: ¿Admite personalización?
R: Sí, las líneas de gas, los componentes de monitoreo y los baños termostáticos se pueden personalizar/actualizar.
P: ¿Cuáles son sus ventajas de producción en masa?
R: Utilización de fuente líder de gas, excelente uniformidad, fácil operación y mantenimiento.
P: ¿Qué hardware principal viene equipado de serie?
R: Guantera sin oxígeno-, monitoreo R/T in situ, control de temperatura de placa satelital independiente, kit de calefacción por RF, etc.
P: ¿Cuáles son sus principales campos de aplicación?
R: Nuevas energías, 5G/aeroespacial, transporte de alta-velocidad, fabricación inteligente; Núcleo para dispositivos de energía semiconductores de tercera generación/VCSEL/células solares.
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