Descripción general del producto

UHB 100 es un implantador de iones de alto-rendimiento y alta-energía. Está diseñado para procesos de dopaje de unión profunda-para la fabricación de semiconductores avanzados. Con una alta energía de aceleración de hasta 8 MeV para iones de carga única-, la máquina adopta una arquitectura de implantación de oblea única-. Ofrece una excelente estabilidad del sistema, control preciso de parámetros, uniformidad y repetibilidad de implantación superiores, y admite una amplia cobertura de procesos para dispositivos lógicos, de memoria, de imágenes y de energía.

Ventajas

Capacidad de energía de haz ultra-alto: la energía de iones-de carga única supera 1 MeV, la energía máxima alcanza los 8 MeV, lo que admite procesos de implantación de pozos-profundos y retrógrados-.

Fuente de iones de alto-rendimiento y larga-vida útil: el diseño optimizado de la fuente de iones-garantiza una salida estable en condiciones de aceleración de nivel MeV-y reduce el tiempo de inactividad para el mantenimiento de la fuente.

Alta pureza energética y eficiencia de transmisión del haz: el diseño óptico avanzado-de línea de haz mejora la eficiencia de transmisión del haz y suprime la contaminación energética para perfiles de implantación de alta-calidad.

Excelente precisión del proceso: uniformidad de dosis superior y repetibilidad en todos los rangos de dosis, lo que satisface los estrictos requisitos de la producción en masa de nodos-avanzados.

Arquitectura orientada a la producción-de una sola-oblea: el diseño de implantación de una única-oblea permite un cambio flexible de recetas, adecuado para la producción-en masa-de productos mixtos en fábricas.

Aplicaciones

UHB 100 admite la implantación de uniones profundas-de alta-energía-para chips semiconductores convencionales:

LÓGICA, DRAM, 3D NAND, NOR Flash

Dispositivos de potencia CMOS, MOSFET, IGBT, BCD

Fabricación de dispositivos semiconductores CIS, MEMS y otros{0}}imágenes relacionados

Parámetros

Artículo	Especificación
Rango de energía	20 keV-8 MeV
Corriente máxima del haz	B⁺: Mayor o igual a 1000 μA a 1 MeV
Rango de dosis	1E11-5E15 iones/cm²
Uniformidad de dosis (1σ)	1E11-5E11 iones/cm²: Menos o igual al 1%; 5E11-5E15 iones/cm²: Menos o igual al 0,5%
Repetibilidad de dosis (1σ)	1E11-5E11 iones/cm²: Menos o igual al 1%; 5E11-5E15 iones/cm²: Menos o igual al 0,5%

Preguntas frecuentes

P: ¿Cuál es el escenario de aplicación principal para UHB 100?

R: UHB 100 se utiliza principalmente para el dopaje de uniones profundas de alta energía, como la implantación de pozos retrógrados y de pozos profundos para chips lógicos, chips de almacenamiento y dispositivos semiconductores de potencia. Cubre los pasos clave de implantación de alta energía para la fabricación avanzada de nodos.

P: ¿Cuál es la energía de aceleración máxima del UHB 100?

R: La energía máxima alcanza los 8 MeV para iones de carga única y se puede lograr una salida de corriente de haz estable con una energía superior a 1 MeV.

P: ¿Qué tal el rendimiento del control de dosis?

R: Para rango de dosis 1E11 5E11 iones/cm², 1σ uniformidad y repetibilidad Menor o igual al 1%; para iones 5E11 5E15/cm², uniformidad y repetibilidad 1σ Menor o igual a 0,5%, lo que cumple con estrictos requisitos de producción en masa para fábricas de circuitos integrados.

P: ¿Puede el UHB 100 funcionar con otros implantadores SEMICORE en una línea de producción?

R: Sí. UHB 100 se puede integrar con implantadores de corriente media de la serie CIP y con implantadores de corriente alta de la serie CIC para crear una solución completa de implante de iones domésticos que cubra procesos de baja, media y alta energía.

P: ¿Qué servicio de soporte se puede proporcionar?

R: SEMICORE ZKX proporciona suministro completo de piezas de repuesto, mantenimiento anual, servicio de traslado de fábrica, renovación de equipos, soporte técnico in situ y ajuste de recetas de procesos para la puesta en marcha de la línea de producción.

P: ¿El UHB 100 está calificado para la producción en masa de 28 nm?

R: Sí. UHB 100 ha sido verificado para procesos de producción en masa hasta el nodo de 28 nm para líneas de producción de circuitos integrados nacionales a gran escala.

Etiqueta: Implantador de iones de alta energía, fabricantes y proveedores de implantador de iones de alta energía de China